事件 盘中 MU 报价 $895.88，单日大涨 19.29%（+$144.88），盘中触及 52 周及历史新高 $916.80，距离 52 周低点 $90.93 已完成十倍跨越。公司市值正式突破 1.01 万亿美元（1010314.40 M USD）。今日暴涨由双重消息面驱动：产业端，其耗资 20 亿美元的弗吉尼亚州工厂正式满负荷运转（Full Gear）；机构端，瑞银（UBS）发布极端看多报告，预计该标的仍有超 80% 的上涨空间。资金面上，市场正发生显著的风格切换，资本从高估值 AI 软件股轮动至底层硬件基础设施，带动自 4 月上市的 AI 聚焦型 DRAM ETF 净值翻倍，散户资金加速涌入，MU 与 SK Hynix 携手迈入万亿市值俱乐部。
解读：地缘政策对供应链的边际冲击 弗吉尼亚州 20 亿美元产能的满载，标志着存储芯片供应链在地缘政策博弈下的实质性重构，市场正在为“供应链安全”进行激进定价。 首先，本土产能溢价显现。在当前地缘摩擦加剧的背景下，北美云厂商对 AI 基础设施的供应链安全要求急剧上升，离岸制造的风险敞口不断扩大。MU 在美国本土的先进产能落地并满产，直接对冲了亚洲供应链潜在的边际断裂风险。市场目前给予 MU 高达 41.90 的 TTM PE 和 17.38 的 TTM PS，其中已计入显著的“地缘安全溢价”。 其次，硬件骨干（Hardware Backbone）的物理瓶颈被重新评估。资金向 MU 等硬件标的轮动，核心逻辑在于地缘政策限制了全球化半导体分工的效率，导致合规且安全的底层硬件产能成为绝对稀缺资源。MU 本土工厂的满产，使其在承接受地缘政策限制溢出的 AI 存储（如 HBM）订单时具备排他性优势。
对标的的影响 短期（1-4 周）维持强多头动能，但标的高 Beta（2.11）属性将放大盘中振幅。万亿市值关口突破及 ETF 翻倍带来的被动资金流入，将提供极强的短期流动性支撑。
关键观察指标：
- 价格行为：日内高点 $916.80 能否在周内转化为有效支撑位，极端回撤防守线看前收盘价 $751.00。
- 供应链溢价：北美本土交付的 DRAM 现货价格相较于亚洲市场的溢价幅度*（未公开披露）*，以验证地缘安全溢价在财务端的转化率。
- 资金流向：AI-Focused DRAM ETF 的资金净申购速率，以及散户逼空情绪衰竭的技术信号。